Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
|
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
|
Нанотехнологии
|
Автор: Красников Геннадий Яковлевич
Издательство: Техносфера, 2011
|
PDF, 800 страниц, 24.00 МБ
|
 В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит — на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
|
|
|
|
|
2903
 admin
16 марта 2014
|
|
Посетители, находящиеся в группе Гости, имеют ряд ограничений на скачивание книг. После регистрации будут доступны все ссылки для скачивания, а также скрыта реклама на сайте.
|
|
|
|
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикаци.
|
|
|
|
|
Электронная библиотека книг
